| Número de pieza | N06DB102J |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo | - |
| Material - Núcleo | - |
| Inductancia | 1mH |
| Tolerancia | ±5% |
| Valoración actual | 160mA |
| Actual - Saturación | - |
| Blindaje | Unshielded |
| Resistencia DC (DCR) | 8.2 Ohm Max |
| Q @ Freq | - |
| Frecuencia - Resonante automático | 2.1MHz |
| Calificaciones | - |
| Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
| Frecuencia - Prueba | 1kHz |
| Caracteristicas | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | Nonstandard |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Tamaño / Dimensión | 0.295" L x 0.287" W (7.50mm x 7.30mm) |
| Altura: sentado (máximo) | 0.126" (3.20mm) |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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N06 080 0003 1 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | Detalles |
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N06 080 0003 2 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | Detalles |
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N06 080 0003 3 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | Detalles |
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N06 080 0003 4 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | Detalles |
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N0601N-ZK-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | Detalles |
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N0602N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 | Detalles |
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N0603N-S23-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-262 | Detalles |
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N0604N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 82A TO-220 | Detalles |
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N06A | NATIONAL | N06A NATIONAL SOT-22.. New Original Stocks | Detalles |
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N06DB100K | Taiyo Yuden | FIXED IND 10UH 1.7A 79 MOHM SMD | Detalles |
