N0604N-S19-AY Descripción detallada
Número de pieza |
N0604N-S19-AY |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
N-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
82A (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
- |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
75nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
4150pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±20V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
1.5W (Ta), 156W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
6.5 mOhm @ 41A, 10V |
Temperatura de funcionamiento |
150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-220 Isolated Tab |
Paquete / caja |
TO-220-3 Isolated Tab |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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