TSM160P02CS RLG Descripción detallada
Número de pieza |
TSM160P02CS RLG |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
P-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
11A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
16 mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
27nC @ 4.5V |
Vgs (Max) |
±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
2320pF @ 15V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
2.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor |
8-SOP |
Paquete / caja |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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