TSM160N10LCR RLG - Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza: TSM160N10LCR RLG
Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descripción: MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Cantidad de stock: 377550 pcs
Precio de referencia: USD 0.4361/pcs
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Número de pieza	TSM160N10LCR RLG
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	46A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	73nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4431pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-PDFN (5x6)
Paquete / caja	8-PowerTDFN
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
TSM160N10CZ C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 100V 160A TO220	Detalles
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