| Número de pieza | S8JCHR7G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 8A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 985mV @ 8A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacitancia @ Vr, F | 48pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | DO-214AB, SMC |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-214AB (SMC) |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
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S8J | MCC | 8 Amp Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts | Detalles |
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S8JC M6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Detalles |
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S8JC R7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Detalles |
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S8JC V6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Detalles |
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S8JC V7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Detalles |
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S8JCHM6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Detalles |
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S8JCHR7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Detalles |
