| Artikelnummer | S8JCHR7G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 985mV @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F | 48pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AB, SMC |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AB (SMC) |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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S8J | MCC | 8 Amp Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts | Einzelheiten |
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S8JC M6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Einzelheiten |
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S8JC R7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Einzelheiten |
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S8JC V6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Einzelheiten |
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S8JC V7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Einzelheiten |
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S8JCHM6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Einzelheiten |
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S8JCHR7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Einzelheiten |
