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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › STU11N65M2
STU11N65M2

STU11N65M2 - STMicroelectronics

Número de pieza
STU11N65M2
Fabricante
STMicroelectronics
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
STU11N65M2 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
2150 pcs
Precio de referencia
USD 2.15/pcs
Nuestro precio
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STU11N65M2 Descripción detallada

Número de pieza STU11N65M2
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 7A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 100V
Vgs (Max) ±25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 670 mOhm @ 3.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor IPAK (TO-251)
Paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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