STU10N60M2

STU10N60M2 - STMicroelectronics

Número de pieza
STU10N60M2
Fabricante
STMicroelectronics
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V IPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
227 pcs
Precio de referencia
USD 1.76/pcs
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STU10N60M2 Descripción detallada

Número de pieza STU10N60M2
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 7.5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 100V
Vgs (Max) ±25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor I-Pak
Paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso -
País de origen -

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