| Número de pieza | STL10HN65M2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | - |
| Tecnología | - |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Paquete / caja | - |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
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STL10 | SAMSUNG | STL10 SAMSUNG BGA New Original Stocks | Detalles |
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,TO-226_straightlead.jpg "STL106D") |
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STL10HN65M2 | STMicroelectronics | POWER MOSFET | Detalles |
