| Artikelnummer | STL10HN65M2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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STL10 | SAMSUNG | STL10 SAMSUNG BGA New Original Stocks | Einzelheiten |
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STL100N12F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT | Einzelheiten |
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STL100N8F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT | Einzelheiten |
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STL105NS3LLH7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT56 | Einzelheiten |
,TO-226_straightlead.jpg "STL106D") |
STL106D | STMicroelectronics | TRANS NPN 230V 1.5A TO-92 | Einzelheiten |
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STL10HN65M2 | STMicroelectronics | POWER MOSFET | Einzelheiten |
