| Número de pieza | RQJ0303PGDQA#H6 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.3A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 625pF @ 10V |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68 mOhm @ 1.6A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 3-MPAK |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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