NP33N06YDG-E1-AY - Renesas Electronics America

Número de pieza: NP33N06YDG-E1-AY
Fabricante: Renesas Electronics America
Breve descripción: MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	NP33N06YDG-E1-AY
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	33A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	78nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3900pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1W (Ta), 97W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 16.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-HSON
Paquete / caja	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	NP33N06YDG-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON	Detalles
	NP33N075YDF-E1-AY	Renesas Electronics America	TRANSISTOR	Detalles