NP33N06YDG-E1-AY detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
NP33N06YDG-E1-AY |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
33A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
78nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
3900pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
1W (Ta), 97W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
14 mOhm @ 16.5A, 10V |
Betriebstemperatur |
175°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
8-HSON |
Paket / Fall |
8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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