HAT2299WP-EL-E - Renesas Electronics America

Número de pieza: HAT2299WP-EL-E
Fabricante: Renesas Electronics America
Breve descripción: MOSFET N-CH WPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	HAT2299WP-EL-E
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	14A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	710pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 7A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-WPAK
Paquete / caja	8-PowerWDFN
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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