| Número de pieza | 2N7002E |
|---|---|
| Estado de la pieza | Last Time Buy |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 300mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 100mA, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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,TO-226_straightlead.jpg "2N7000") |
2N7000 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 | Detalles |
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2N7000,126 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92 | Detalles |
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2N7000G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 | Detalles |
