NVMFD5C650NLT1G - ON Semiconductor

Número de pieza: NVMFD5C650NLT1G
Fabricante: ON Semiconductor
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Precio de referencia: USD 1.13564/pcs
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Número de pieza	NVMFD5C650NLT1G
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 98µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2546pF @ 25V
Potencia - Max	3.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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