| Artikelnummer | NVMFD5C650NLT1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta), 111A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 98µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2546pF @ 25V |
| Leistung max | 3.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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NVMFD5483NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN | Einzelheiten |
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