NTJD4105CT1G

NTJD4105CT1G - ON Semiconductor

Número de pieza
NTJD4105CT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
232945 pcs
Precio de referencia
USD 0.1139/pcs
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NTJD4105CT1G Descripción detallada

Número de pieza NTJD4105CT1G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N and P-Channel
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V, 8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 630mA, 775mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 20V
Potencia - Max 270mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor SC-88/SC70-6/SOT-363
Peso -
País de origen -

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