NTJD1155LT1

NTJD1155LT1 - ON Semiconductor

Número de pieza
NTJD1155LT1
Fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4032 pcs
Precio de referencia
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NTJD1155LT1 Descripción detallada

Número de pieza NTJD1155LT1
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N and P-Channel
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Potencia - Max 400mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor SC-88/SC70-6/SOT-363
Peso -
País de origen -

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