| Número de pieza | FDP020N06B-F102 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 268nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 20930pF @ 30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 333W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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FDP020N06B-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | Detalles |
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FDP020N06B_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | Detalles |
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FDP023N08B-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | Detalles |
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FDP023N08B_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | Detalles |
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FDP025N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | Detalles |
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FDP027N08B | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 | Detalles |
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FDP027N08B-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | Detalles |
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FDP027N08B_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | Detalles |
