FDP025N06

FDP025N06 - Fairchild/ON Semiconductor

Número de pieza
FDP025N06
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
2015 pcs
Precio de referencia
USD 5.11/pcs
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FDP025N06 Descripción detallada

Número de pieza FDP025N06
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 120A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 226nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14885pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 75A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / caja TO-220-3
Peso -
País de origen -

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