PMDPB95XNE,115 - NXP USA Inc.

Número de pieza: PMDPB95XNE,115
Fabricante: NXP USA Inc.
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza	PMDPB95XNE,115
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	143pF @ 15V
Potencia - Max	475mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor	DFN2020-6
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
PMDPB28UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6	Detalles
PMDPB30XN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON	Detalles
PMDPB38UNE,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6	Detalles
PMDPB42UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6	Detalles
PMDPB55XP,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON	Detalles
PMDPB56XN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6	Detalles
PMDPB56XNEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020D-6	Detalles
PMDPB58UPE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6	Detalles
PMDPB65UP,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118	Detalles
PMDPB70EN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN	Detalles