APTSM120AM25CT3AG Descripción detallada
| Número de pieza |
APTSM120AM25CT3AG |
| Estado de la pieza |
Active |
| Tipo de FET |
2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Característica FET |
Silicon Carbide (SiC) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
1200V (1.2kV) |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
148A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
25 mOhm @ 80A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 4mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
544nC @ 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
10200pF @ 1000V |
| Potencia - Max |
937W |
| Temperatura de funcionamiento |
-40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje |
Chassis Mount |
| Paquete / caja |
SP3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
SP3 |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
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