APTSM120AM25CT3AG detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
APTSM120AM25CT3AG |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET-Eigenschaft |
Silicon Carbide (SiC) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
1200V (1.2kV) |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
148A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
25 mOhm @ 80A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 4mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
544nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
10200pF @ 1000V |
| Leistung max |
937W |
| Betriebstemperatur |
-40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Chassis Mount |
| Paket / Fall |
SP3 |
| Lieferantengerätepaket |
SP3 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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