APT40GL120JU2 - Microsemi Corporation

Número de pieza: APT40GL120JU2
Fabricante: Microsemi Corporation
Breve descripción: MOD IGBT 1200V 65A SOT-227
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: APT40GL120JU2 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 1319 pcs
Precio de referencia: USD 20.1539/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	APT40GL120JU2
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	Trench Field Stop
Configuración	Single
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	1200V
Current - Collector (Ic) (Max)	65A
Potencia - Max	220W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.25V @ 15V, 35A
Corriente - corte de colector (máximo)	250µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce	1.95nF @ 25V
Entrada	Standard
Termistor NTC	No
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis, Stud Mount
Paquete / caja	SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-227
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
APT4012BVR	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	Detalles
APT4012BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	Detalles
APT4016BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V TO-247	Detalles
APT4065BNG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD	Detalles
APT40DC120HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227	Detalles
APT40DC60HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 600V SOT227	Detalles
APT40DQ100BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247	Detalles
APT40DQ100BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247	Detalles
APT40DQ120BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247	Detalles
APT40DQ120BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247	Detalles