| Número de pieza | APT11N80KC3G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220 [K] |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | Detalles |
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APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | Detalles |
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APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Detalles |
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APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Detalles |
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APT1002RBN | APT | APT1002RBN APT TO-247 New Original Stocks | Detalles |
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APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | Detalles |
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APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Detalles |
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APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Detalles |
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APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | Detalles |
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APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | Detalles |
