MT49H64M9SJ-25E:B - Micron Technology Inc.

Número de pieza: MT49H64M9SJ-25E:B
Fabricante: Micron Technology Inc.
Breve descripción: IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Memoria
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 562 pcs
Precio de referencia: USD 45/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	MT49H64M9SJ-25E:B
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Volatile
Formato de memoria	DRAM
Tecnología	DRAM
Tamaño de la memoria	576Mb (64M x 9)
Frecuencia de reloj	400MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	-
Tiempo de acceso	15ns
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	1.7 V ~ 1.9 V
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	144-TFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor	144-FBGA (18.5x11)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
MT49H64M9BM-25:B	Micron Technology Inc.	IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA	Detalles
MT49H64M9BM-25:B TR	Micron Technology Inc.	IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA	Detalles
MT49H64M9CBM-25E:B	Micron Technology Inc.	IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA	Detalles
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MT49H64M9SJ-25E:B	Micron Technology Inc.	IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA	Detalles
MT49H64M9SJ-25E:B TR	Micron Technology Inc.	IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA	Detalles