| Artikelnummer | MT49H64M9SJ-25E:B |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | DRAM |
| Speichergröße | 576Mb (64M x 9) |
| Taktfrequenz | 400MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 15ns |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 144-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 144-FBGA (18.5x11) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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MT49H64M9BM-25:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | Einzelheiten |
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MT49H64M9BM-25:B TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | Einzelheiten |
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MT49H64M9CBM-25E:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | Einzelheiten |
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MT49H64M9FM-25:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | Einzelheiten |
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MT49H64M9FM-25:B TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | Einzelheiten |
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MT49H64M9FM-25E:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | Einzelheiten |
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MT49H64M9FM-25E:B TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | Einzelheiten |
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MT49H64M9SJ-25E:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA | Einzelheiten |
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MT49H64M9SJ-25E:B TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA | Einzelheiten |
