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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › IXTR210P10T
IXTR210P10T

IXTR210P10T - IXYS

Número de pieza
IXTR210P10T
Fabricante
IXYS
Breve descripción
MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IXTR210P10T Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
IXTR210P10T.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
1208 pcs
Precio de referencia
USD 21.449/pcs
Nuestro precio
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IXTR210P10T Descripción detallada

Número de pieza IXTR210P10T
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 195A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 740nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 69500pF @ 25V
Vgs (Max) ±15V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 595W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 105A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor ISOPLUS247™
Paquete / caja TO-247-3
Peso -
País de origen -

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