IXTR170P10P - IXYS

Número de pieza	IXTR170P10P
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	108A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	240nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	12600pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 85A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	ISOPLUS247™
Paquete / caja	ISOPLUS247™
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXTR102N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247	Detalles
IXTR120P20T	IXYS	MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247	Detalles
IXTR140P10T	IXYS	MOSFET P-CH 100V 90A ISOPLUS247	Detalles
IXTR16P60P	IXYS	MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247	Detalles
IXTR170P10P	IXYS	MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247	Detalles
IXTR200N10P	IXYS	MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247	Detalles
IXTR20P50P	IXYS	MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247	Detalles
IXTR210P10T	IXYS	MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247	Detalles
IXTR30N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247	Detalles
IXTR32P60P	IXYS	MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247	Detalles