IXTQ32N65X

IXTQ32N65X - IXYS

Número de pieza
IXTQ32N65X
Fabricante
IXYS
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 32A TO-3P
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
60 pcs
Precio de referencia
USD 6.28/pcs
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IXTQ32N65X Descripción detallada

Número de pieza IXTQ32N65X
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 32A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2205pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135 mOhm @ 16A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-3P
Paquete / caja TO-3P-3, SC-65-3
Peso -
País de origen -

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