IXTQ120N15T - IXYS

Número de pieza	IXTQ120N15T
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	120A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4900pF @ 25V
Vgs (Max)	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 500mA, 10V
Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-3P
Paquete / caja	TO-3P-3, SC-65-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXTQ100N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P	Detalles
IXTQ102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P	Detalles
IXTQ102N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 102A TO3P	Detalles
IXTQ102N25T	IXYS	MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P	Detalles
IXTQ10P50P	IXYS	MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P	Detalles
IXTQ110N055P	IXYS	MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P	Detalles
IXTQ110N10P	IXYS	MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P	Detalles
IXTQ120N15P	IXYS	MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P	Detalles
IXTQ120N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P	Detalles
IXTQ120N20P	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P	Detalles