IXTP6N100D2 - IXYS

Número de pieza	IXTP6N100D2
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	95nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2650pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	Depletion Mode
Disipación de potencia (Máx)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 3A, 0V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / caja	TO-220-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXTP01N100D	IXYS	MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB	Detalles
IXTP02N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220	Detalles
IXTP02N50D	IXYS	MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220	Detalles
IXTP05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220	Detalles
IXTP05N100M	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220	Detalles
IXTP05N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263	Detalles
IXTP06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220	Detalles
IXTP08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB	Detalles
IXTP08N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220	Detalles
IXTP08N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220	Detalles