IXTP28P065T - IXYS

Número de pieza	IXTP28P065T
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	65V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	28A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	46nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2030pF @ 25V
Vgs (Max)	±15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 14A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / caja	TO-220-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXTP01N100D	IXYS	MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB	Detalles
IXTP02N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220	Detalles
IXTP02N50D	IXYS	MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220	Detalles
IXTP05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220	Detalles
IXTP05N100M	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220	Detalles
IXTP05N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263	Detalles
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IXTP08N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220	Detalles