IXTP08N50D2

IXTP08N50D2 - IXYS

Número de pieza
IXTP08N50D2
Fabricante
IXYS
Breve descripción
MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IXTP08N50D2 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
IXTP08N50D2.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
572 pcs
Precio de referencia
USD 1.84/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para IXTP08N50D2

IXTP08N50D2 Descripción detallada

Número de pieza IXTP08N50D2
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 800mA (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 12.7nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 312pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET Depletion Mode
Disipación de potencia (Máx) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 Ohm @ 400mA, 0V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / caja TO-220-3
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA IXTP08N50D2