IXTN170P10P - IXYS

Número de pieza	IXTN170P10P
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	170A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	240nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	12600pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 500mA, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-227B
Paquete / caja	SOT-227-4, miniBLOC
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXTN102N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227	Detalles
IXTN110N20L2	IXYS	MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227	Detalles
IXTN120N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227	Detalles
IXTN120P20T	IXYS	MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227	Detalles
IXTN170P10P	IXYS	MOSFET P-CH 100V 170A SOT227	Detalles
IXTN17N120L	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B	Detalles
IXTN200N10L2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227	Detalles
IXTN200N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227	Detalles
IXTN210P10T	IXYS	MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227	Detalles
IXTN21N100	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B	Detalles