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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › IXTH32P20T
IXTH32P20T

IXTH32P20T - IXYS

Número de pieza
IXTH32P20T
Fabricante
IXYS
Breve descripción
MOSFET P-CH 200V 32A TO-247
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
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Descargar hoja de datos en PDF
IXTH32P20T.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3953 pcs
Precio de referencia
USD 6.765/pcs
Nuestro precio
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IXTH32P20T Descripción detallada

Número de pieza IXTH32P20T
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 32A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 185nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14500pF @ 25V
Vgs (Max) ±15V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 16A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247 (IXTH)
Paquete / caja TO-247-3
Peso -
País de origen -

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