IXFL40N110P - IXYS

Número de pieza	IXFL40N110P
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	1100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	21A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	310nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	19000pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	ISOPLUS264™
Paquete / caja	ISOPLUS264™
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXFL100N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264	Detalles
IXFL132N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264	Detalles
IXFL210N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 108A TO-264	Detalles
IXFL30N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK	Detalles
IXFL32N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK	Detalles
IXFL34N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264	Detalles
IXFL38N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK	Detalles
IXFL38N100Q2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264	Detalles
IXFL39N90	IXYS	MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264	Detalles
IXFL40N110P	IXYS	MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264	Detalles