IXFL132N50P3 - IXYS

Número de pieza	IXFL132N50P3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	63A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	250nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	18600pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	43 mOhm @ 66A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	ISOPLUS264™
Paquete / caja	ISOPLUS264™
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXFL100N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264	Detalles
IXFL132N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264	Detalles
IXFL210N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 108A TO-264	Detalles
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IXFL32N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK	Detalles
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IXFL40N110P	IXYS	MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264	Detalles