SPP02N60S5HKSA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: SPP02N60S5HKSA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	SPP02N60S5HKSA1
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.8A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 80µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	240pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 1.1A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO220-3-1
Paquete / caja	TO-220-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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