| Número de pieza | SPB18P06P G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18.7A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 81.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-2 |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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SPB10045E3 | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 45V 100A SOT227 | Detalles |
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SPB100N03S2-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Detalles |
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SPB100N03S2-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Detalles |
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SPB100N03S2-03G | I | SPB100N03S2-03G I SOT404 New Original Stocks | Detalles |
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SPB100N03S203T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Detalles |
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SPB100N03S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Detalles |
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SPB100N03S2L-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Detalles |
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SPB100N03S2L03T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Detalles |
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SPB100N04S2-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | Detalles |
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SPB100N04S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | Detalles |
