IPS050N03LGBKMA1

IPS050N03LGBKMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
IPS050N03LGBKMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3705 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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IPS050N03LGBKMA1 Descripción detallada

Número de pieza IPS050N03LGBKMA1
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 50A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 15V
Vgs (Max) -
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO251-3
Paquete / caja TO-251-3 Stub Leads, IPak
Peso -
País de origen -

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