IPS050N03LGBKMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	IPS050N03LGBKMA1
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3200pF @ 15V
Vgs (Max)	-
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	68W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PG-TO251-3
Paket / Fall	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IPS050N03LG	INFINEON	IPS050N03LG INFINEON TO-251.. New Original Stocks	Einzelheiten
IPS050N03LGAKMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3	Einzelheiten
IPS050N03LGBKMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3	Einzelheiten