IPP114N03L G

IPP114N03L G - Infineon Technologies

Número de pieza
IPP114N03L G
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 30A TO-220-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4184 pcs
Precio de referencia
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IPP114N03L G Descripción detallada

Número de pieza IPP114N03L G
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 30A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.4 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / caja TO-220-3
Peso -
País de origen -

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