IPG20N06S4L11ATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: IPG20N06S4L11ATMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 8TDSON
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 36106 pcs
Precio de referencia: USD 0.7536/pcs
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Número de pieza	IPG20N06S4L11ATMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 28µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4020pF @ 25V
Potencia - Max	65W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-4
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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