IPC045N10L3X1SA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: IPC045N10L3X1SA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 75235 pcs
Precio de referencia: USD 0.3611/pcs
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Número de pieza	IPC045N10L3X1SA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1A (Tj)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 33µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	Sawn on foil
Paquete / caja	Die
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	IPC045N10L3X1SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE	Detalles
	IPC045N10N3X1SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE	Detalles