IPC045N10L3X1SA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	IPC045N10L3X1SA1
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1A (Tj)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 33µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 4.5V
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	Sawn on foil
Paket / Fall	Die
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	IPC045N10L3X1SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE	Einzelheiten
	IPC045N10N3X1SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE	Einzelheiten