IKD10N60RAATMA2

IKD10N60RAATMA2 - Infineon Technologies

Número de pieza
IKD10N60RAATMA2
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
IGBT 600V 20A 150W TO252-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
30784 pcs
Precio de referencia
USD 0.8596/pcs
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IKD10N60RAATMA2 Descripción detallada

Número de pieza IKD10N60RAATMA2
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 20A
Corriente - colector pulsado (Icm) 30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A
Potencia - Max 150W
Conmutación de energía -
Tipo de entrada Standard
Cargo de puerta 64nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 14ns/192ns
Condición de prueba 400V, 10A, 23 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) 62ns
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Peso -
País de origen -

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