BSM50GD120DN2BOSA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: BSM50GD120DN2BOSA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 1225 pcs
Precio de referencia: USD 134.4/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	BSM50GD120DN2BOSA1
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de IGBT	-
Configuración	Full Bridge
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	1200V
Current - Collector (Ic) (Max)	72A
Potencia - Max	350W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3V @ 15V, 50A
Corriente - corte de colector (máximo)	1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce	3.3nF @ 25V
Entrada	Standard
Termistor NTC	No
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	Module
Paquete de dispositivo del proveedor	Module
Peso	-
País de origen	-

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