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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › BSM50GD120DN2BOSA1
BSM50GD120DN2BOSA1

BSM50GD120DN2BOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSM50GD120DN2BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BSM50GD120DN2BOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1225 pcs
Referenzpreis
USD 134.4/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern BSM50GD120DN2BOSA1

BSM50GD120DN2BOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSM50GD120DN2BOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 72A
Leistung max 350W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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